光(guang)(guang)伏發電的(de)(de)主要原理(li)是半(ban)(ban)導體的(de)(de)光(guang)(guang)電效應。當(dang)光(guang)(guang)子(zi)(zi)撞擊金屬時,其能(neng)量可以被(bei)金屬中的(de)(de)一個(ge)電子(zi)(zi)完(wan)全吸收。電子(zi)(zi)吸收的(de)(de)能(neng)量大到(dao)(dao)足以克(ke)服金屬原子(zi)(zi)內部的(de)(de)庫侖力做功并從(cong)金屬表面逃(tao)逸,成(cheng)為光(guang)(guang)電子(zi)(zi)。硅有四個(ge)外(wai)(wai)層(ceng)(ceng)電子(zi)(zi)。如(ru)果純(chun)硅摻(chan)雜(za)有五(wu)個(ge)外(wai)(wai)層(ceng)(ceng)電子(zi)(zi)的(de)(de)原子(zi)(zi),比如(ru)磷原子(zi)(zi),就會變成(cheng)N型半(ban)(ban)導體。如(ru)果純(chun)硅摻(chan)雜(za)有三(san)個(ge)外(wai)(wai)層(ceng)(ceng)電子(zi)(zi)的(de)(de)原子(zi)(zi),例(li)如(ru)硼原子(zi)(zi),就形成(cheng)了P型半(ban)(ban)導體。P型和N型結(jie)(jie)合在一起,接觸面就會形成(cheng)電位差,成(cheng)為太陽能(neng)電池。當(dang)太陽光(guang)(guang)照射到(dao)(dao)pn結(jie)(jie)上時,電流(liu)從(cong)P型側流(liu)向N型側,形成(cheng)電流(liu)。